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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實現研究
本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設計。E-pHEMT管的低噪聲系數和高OIP3使它在高動態范圍電路設計上具有很大的優勢,并且該放大器的技術指標達到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規范要求,具有很好的應用前景。
2008-10-12
截點 E-pHEMT 平衡結構 LNA 仿真
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阻抗匹配
本文詳細討論了傳輸線的阻抗匹配問題。重點介紹了串聯終端匹配和并聯終端匹配,提出將訊號的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術。
2008-10-12
傳輸線 阻抗匹配 訊號 特性阻抗
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RF功率MOSFET產品及其工藝開發
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結構特征,設計出RF 功率 LDMOSFET器件結構,通過工藝和器件模擬確定了關鍵參數,并設計了一套符合6寸芯片生產線的制造工藝流程,對工藝中的難點提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運放式射頻放大器
本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數,如果價格可以接受的話,運放,特別是CFB運放非常適合射頻設計。
2008-10-12
運放 射頻 CFB
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法國Sofradir公司收購美國紅外探測器公司Electrophysics
法國Sofradir公司宣布收購美國Electrophysics公司。此項收購有望加速Sofradir和它的子公司ULIS在北美市場的發展。Sofradir希望30天內完成本次交易,交易價格尚未披露。
2008-10-08
收購 Sofradir Electrophysics 紅外
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