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使用MSO 5/6內置AWG進行功率半導體器件的雙脈沖測試
SiC器件的快速開關特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
MSO AWG 功率半導體器件 雙脈沖測試
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MOS管在開關電源中的核心作用及其關鍵性能參數對設計的影響
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現代電子技術中不可或缺的元器件之一，在開關電源設計中扮演著至關重要的角色。開關電源作為現代電力轉換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應用。本文將深入探討MOS管...
2025-01-25
MOS管 開關電源
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第14講：工業用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
工業用 SiC 功率模塊
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意法半導體榮膺 2025 年全球杰出雇主認證
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評選為2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
意法半導體
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IGBT并聯設計指南，拿下！
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。
2025-01-24
IGBT 并聯設計
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j－top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2025-01-24
功率器件 熱設計 熱系數 結溫
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利用創新FPGA技術：實現USB解決方案的低功耗、模塊化與小尺寸
USB技術的開發面臨著獨特的挑戰，主要原因是需要在受限的設備尺寸內實現穩定互連、高速度和電源管理。各種器件兼容性問題、各異的數據傳輸速度以及對低延遲和低功耗的要求，給工程師帶來了更多壓力，他們需要在嚴格的技術限制范圍內進行創新。工程師必須將USB功能集成到越來越小的模塊中，并在功能...
2025-01-24
FPGA技術 USB
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服務器電源設計中的五大趨勢
由于服務器對于處理數據通信至關重要，因此服務器行業與互聯網同步呈指數發展。盡管服務器單元最初是基于 PC 架構，但服務器系統必須能夠應對日益增加的網絡主機數量和復雜性。
2025-01-24
服務器電源
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音頻放大器的 LLC 設計注意事項
設計音頻放大器的電源時必須將特殊注意事項考慮在內。與標準隔離式電源相比，音頻信號的非線性性質提出了不同的設計挑戰。
2025-01-23
音頻放大器 LLC
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