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STC03DE220HV：意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開關

STC03DE220HV：意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開關

意法半導體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發射極開關雙極晶體管）功率開關，新產品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關電源的能效，降低產品的成本、組件數量和尺寸。

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 發射極開關雙極晶體管

STC03DE220HV：意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開關

STC03DE220HV：意法半導體用于三相電源的低功耗ESBT開關

意法半導體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發射極開關雙極晶體管）功率開關，新產品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關電源的能效，降低產品的成本、組件數量和尺寸。

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 發射極開關雙極晶體管

TJ3-HT：Vishay新型環形高溫電感器

TJ3-HT：Vishay新型環形高溫電感器

Vishay宣布推出新型環形高電流、高溫電感器。該器件具有業內最高額定及飽和電流以及業內最低電感和DCR。

2008-05-16

TJ3-HT 高溫電感器

STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列

STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列

意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源

STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列

STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列

意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源

DG系列：Vishay八款高精度儀表應用模擬多路復用器與開關

DG系列：Vishay八款高精度儀表應用模擬多路復用器與開關

日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復用器與開關。這些產品還是同類器件中首批除標準 TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。

2008-05-12

DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復用器與開關

ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列

ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列

日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求，同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重復性和穩定的性能。

2008-05-09

ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列

STW55NM60ND：意法半導體快速恢復MOSFET產品

STW55NM60ND：意法半導體快速恢復MOSFET產品

意法半導體推出快速恢復MOSFET晶體管新產品系列，用于包括再生能源控制器在內的以能效為中心的應用需求。新產品在現有產品的基礎上提高了開關性能，同時還使導通電阻實現超過18%的降幅。

2008-05-06

STW55NM60ND MOSFET 場效應管

STW55NM60ND：意法半導體快速恢復MOSFET產品

STW55NM60ND：意法半導體快速恢復MOSFET產品

意法半導體推出快速恢復MOSFET晶體管新產品系列，用于包括再生能源控制器在內的以能效為中心的應用需求。新產品在現有產品的基礎上提高了開關性能，同時還使導通電阻實現超過18%的降幅。

2008-05-06

STW55NM60ND MOSFET 場效應管

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